SOI（绝缘体上硅半导体制造技术）

SOI（绝缘体上硅半导体制造技术）

SOI（Silicon On Insulator）是一种在硅基底与活性层间嵌入二氧化硅绝缘层的半导体制造技术，形成硅薄层-绝缘层-硅衬底的三层结构 。该技术诞生于20世纪80年代，采用智能剥离（Smart Cut）、注氧隔离（SIMOX）和键合（BESOI）等工艺制备晶圆，通过消除体硅结构的寄生效应实现电流隔离 。

SOI技术的绝缘层设计可降低漏电流，减少寄生电容，兼具高频性能与抗辐射能力，适用于耐高温高压场景 。在汽车领域可集成驱动IC与IGBT、SiC MOSFET等功率器件，提升动力驱动系统效率和电池管理精度，2024年，SOI晶圆在全球汽车芯片市场的渗透率达18%，其中新能源汽车领域应用占比超过60% 。车规级芯片制造对晶圆缺陷密度有严格要求 。

该技术已衍生出全耗尽型（FD-SOI）和部分耗尽型（PD-SOI）结构，应用于射频前端、功率器件及22nm以下先进工艺节点 。在相关制造领域，12英寸SOI晶圆的规模化生产技术已经实现，FD-SOI技术覆盖65nm至18nm节点，并向更先进的工艺节点演进 。SOI工艺也应用于MEMS压力敏感芯片的生产 。

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